摘要：9月11日，長江存儲宣布開始量產(chǎn)基于自主研發(fā)Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存(3D NAND)，容量256Gb，以滿足固態(tài)硬盤(SSD)嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用的需求;合肥長鑫存儲在9月20日的2019世界制造業(yè)大會上宣布，公司總投資約1500億元的DRAM芯片自主制造項(xiàng)目正式投產(chǎn)。近年來，國內(nèi)企業(yè)在NAND、DRAM存儲芯片領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，打破了國際廠商的產(chǎn)品壟斷。但產(chǎn)品還處于量產(chǎn)初期，外企主導(dǎo)的市場地位很難撼動。

存儲芯片是電子信息領(lǐng)域的重性點(diǎn)戰(zhàn)略基礎(chǔ)元件，應(yīng)用范圍極其廣泛。隨著5G時代的逐漸來臨，5G網(wǎng)絡(luò)將廣泛的應(yīng)用于AI人工智能、大數(shù)據(jù)、IOT平臺等領(lǐng)域，豐富的使用場景必將帶來海量的數(shù)據(jù)，這其中會爆發(fā)巨大的存儲市場需求。同時，數(shù)據(jù)存儲的安全性關(guān)乎國家信息安全，因此發(fā)展擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的存儲芯片是國家戰(zhàn)略所在。

我國存儲器市場需求龐大，但國產(chǎn)存儲芯片供給不足

存儲產(chǎn)業(yè)具有強(qiáng)周期性和高成長性，下游新興市場不斷涌現(xiàn)使得存儲器需求旺盛。中國是全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場，存儲芯片的國內(nèi)市場仍有待挖掘，潛力巨大。2008-2015年中國NOR Flash市場規(guī)模從33.5億元達(dá)到了49億元，NAND Flash芯片從45.9億迅速增長到了939.2億元。雖然2018年存儲器產(chǎn)品價格受智能手機(jī)出貨量下降等因素下降較為明顯，但多樣化的市場需求使得存儲器銷售仍較為可觀。

從中國海關(guān)數(shù)據(jù)來看，2018年我國進(jìn)口芯片金額達(dá)到3120.58億美元(約合人民幣2.06萬億元)，創(chuàng)出歷史新高。其中存儲芯片進(jìn)口金額達(dá)到1230.7億美元，占集成電路進(jìn)口總額的38%且呈上升趨勢，其比重超過CPU、手機(jī)基帶等熱門芯片，國產(chǎn)存儲芯片供給嚴(yán)重不足。

圖1 2014-2018中國大陸集成電路及存儲器進(jìn)口額情況

(資料來源：中國海關(guān)總署)

全球存儲器市場呈現(xiàn)高度壟斷局面

存儲產(chǎn)業(yè)資金及技術(shù)門檻較高，在全球經(jīng)歷產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移和企業(yè)兼并之后，市場呈壟斷競爭格局。從當(dāng)前DRAM的全球市場份額來看，三星、SK海力士和美光占據(jù)了95%以上的市場份額，其中兩家韓國企業(yè)合計(jì)占有72%的份額，具有控制全球DRAM產(chǎn)品價格的實(shí)力，其他競爭對手很難突破目前的市場競爭格局;在NAND Flash市場，前5大企業(yè)占據(jù)了99%的市場份額，寡頭壟斷明顯;NOR Flash領(lǐng)域我國有兆易創(chuàng)新排在前列，其他領(lǐng)域國內(nèi)廠商的技術(shù)與規(guī)模差距明顯，自主產(chǎn)品亟待突破。

圖2 2017年全球DRAM及NAND市場份額占比

(資料來源：五度易鏈行研中心整理)

國內(nèi)存儲企業(yè)不斷實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，未來可期

存儲芯片是半導(dǎo)體行業(yè)最重要的產(chǎn)品，其銷售額約占全球半導(dǎo)體行業(yè)總額的1/3。目前，我國在存儲芯片領(lǐng)域還處于落后狀態(tài)，但隨著國內(nèi)政策及產(chǎn)業(yè)基金的不斷扶持，國內(nèi)龍頭企業(yè)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了重大的技術(shù)突破，與國際一流產(chǎn)品的代差在逐漸縮小。

長江存儲是我國存儲領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，2018年企業(yè)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了32層3D NAND的小批量生產(chǎn)，2019年基于自主研發(fā)Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲器實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)，預(yù)計(jì)2020年底其可望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)6萬片晶圓的水平。這是中國首次實(shí)現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片的量產(chǎn)，將中國與全球一線存儲廠商間的技術(shù)差距縮減至兩代。業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)到2020年，長江存儲將直接跳躍到128層3D NAND的目標(biāo)，繞開主要NAND制造商生產(chǎn)的96層閃存芯片，屆時我國將達(dá)到世界一流廠商水平。

合肥長鑫是是中國大陸唯一擁有完整技術(shù)、工藝和生產(chǎn)運(yùn)營團(tuán)隊(duì)的DRAM公司，其DRAM產(chǎn)品19nm級第一代8Gb DDR4年底開始投產(chǎn)，滿產(chǎn)后可以達(dá)到每月36萬片產(chǎn)能，且其重新設(shè)計(jì)的DRAM芯片，最大限度的減少了對美國原產(chǎn)技術(shù)的使用，以避免像福建晉華一樣被美國制裁而出現(xiàn)生產(chǎn)停滯。

表1 我國存儲領(lǐng)域產(chǎn)能分布

(資料來源：五度易鏈行研中心整理)

結(jié)語

我國半導(dǎo)體產(chǎn)品對外依存度高，國產(chǎn)替代空間巨大，疊加政府在政策、資金、稅收等方面給予大力支持，及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向國內(nèi)轉(zhuǎn)移的大趨勢，中國存儲產(chǎn)業(yè)將迎來關(guān)鍵發(fā)展機(jī)遇。目前，在存儲領(lǐng)域國內(nèi)企業(yè)已在奮力追趕，形成長江存儲、合肥長鑫、紫光存儲三大陣營，分別專注于NAND Flash、DRAM和利基型DRAM。隨著中國存儲器產(chǎn)品逐步成熟、關(guān)鍵技術(shù)的不斷突破，國內(nèi)存儲芯片將與國際領(lǐng)先廠商的差距越來越小，國產(chǎn)替代未來可期。