IGBT能夠在社會的各方面實現應用，在近幾年也在飛速成長，那么現在國內的IGBT技術發展如何呢?

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。

中國已經成為全球IGBT最大需求市場

IGBT是功率半導體器件第三次技術革命的代表性產品，具有高頻率、高電壓、大電流，易于開關等優良性能，被業界譽為功率變流裝置的“CPU”，廣泛應用于軌道交通、航空航天、船舶驅動、智能電網、新能源、交流變頻、風力發電、電機傳動、汽車等強電控制等產業領域。隨著以軌道交通為代表的新興市場興起，中國已經成為全球IGBT最大需求市場。

伴隨著2014、2015年《國家集成電路產業發展推進綱要》和《中國制造2025》的發布，國家半導體產業進入了快速發展階段。一方面原因是國家集成電路大基金以及其他資本的注入使國內半導體集成電路產業投資規模及數量增勢明顯;另一方面，中國制造2025迫使高壓變頻、交流傳動機車/動車組、城市軌道交通、國家電網、新能源汽車等國民經濟支柱性行業紛紛提出關鍵功率器件國產化的需求，除去自行建廠研發之外，這些領域的應用將為國內功率半導體器件的發展帶來新機遇。

從技術發展趨勢上來看，盡管與國際領先水平尚有差距，但發展勢頭強勁。高端超結MOS、TrenchIGBT、SGTMOS產品產業化依然是未來2年功率半導體器件企業發展必爭之地，此外，第三代SiC、GaN器件將是未來功率器件發展趨勢，國內眾多企業開始進入研究階段。

國內IGBT需在產業鏈上游層面突破

現在，國外企業如英飛凌、 ABB、三菱等廠商研發的IGBT器件產品規格涵蓋電壓600V-6500V，電流2A-3600A，已形成完善的IGBT產品系列，按照細分的不同，各大公司有以下特點：

(1)英飛凌、 三菱、 ABB在1700V以上電壓等級的工業IGBT領域占絕對優勢;在3300V以上電壓等級的高壓IGBT技術領域幾乎處于壟斷地位。 在大功率溝槽技術方面，英飛凌與三菱公司處于國際領先水平;

(2)西門康、仙童等在1700V及以下電壓等級的消費IGBT領域處于優勢地位。

國際市場供應鏈已基本成熟，但隨著新能源等市場需求增長，市場鏈條正逐步演化。

而在國內，盡管我國擁有最大的功率半導體市場，但是目前國內功率半導體產品的研發與國際大公司相比還存在很大差距，特別是IGBT等高端器件差距更加明顯。核心技術均掌握在發達國家企業手中，IGBT技術集成度高的特點又導致了較高的市場集中度。 跟國內廠商相比，英飛凌、 三菱和富士電機等國際廠商占有絕對的市場優勢。形成這種局面的原因主要是：

(1)國際廠商起步早，研發投入大，形成了較高的專利壁壘。

(2)國外高端制造業水平比國內要高很多，一定程度上支撐了國際廠商的技術優勢。

所以中國功率半導體產業的發展必須改變目前技術處于劣勢的局面，特別是要在產業鏈上游層面取得突破，改變目前功率器件領域封裝強于芯片的現狀。

而技術差距從以下兩個方面也有體現：

(1)高鐵、智能電網、新能源與高壓變頻器等領域所采用的IGBT模塊規格在6500V以上，技術壁壘較強;

(2)IGBT芯片設計制造、模塊封裝、失效分析、測試等IGBT產業核心技術仍掌握在發達國家企業手中。

中國IGBT產業化限制發展

雖然中國IGBT企業在商業上完全不敵英飛凌、富士通、三菱等國外大廠，但在技術上并不差。誠然，國內大部分企業在IGBT技術上和國外大廠差距明顯，但有一家企業的IGBT水平很強，相對于國內其他IGBT廠商可以說是鶴立雞群的存在，那就是中國中車。

通過收購英國丹尼克斯公司，中國企業掌握了世界一流的技術。這里介紹一下丹尼克斯，英國是一家在IGBT方面有較深厚技術積累的企業，曾經研發出全世界第一條8英寸IGBT線。

雖然丹尼克斯在技術上十分有優勢，但是受到國情關系影響，英國的很企業都被出售。收購的企業和技術能夠用在軍工領域，但是實現大規模產業化還存在問題。